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dram flash迎来新变革?看看美光怎么说

2019-06-27 20:22:56 it中国 itcn 分享

美光作为全球前五的dram和nand flash芯片供应商,在最新的2019年q2财季中,美光dram业务大约占整体营收的64%,nand flash营收大约占了30%。

5月23日,在美光投资者大会上,美光展示了其对nand flash和dram产业的看法,以及美光下一代技术的发展以及规划。美光认为,dram产业面临三大挑战:第一,wafer gb当量显著增长的挑战;第二,技术转换节点所出现的成本与最终的收益挑战;第三,资本支出的强度持续增加。


在dram方面,美光将持续推进1znm dram技术,将基于该先进技术推出16gb lpddr4。在1znm技术之后,向下发展还有1α、1β、1γ,在从1znm到1γ技术的过程中,美光将持续评估euv工艺dram的成本效益,在合适的时候用上euv。

在nand方面,美光3d技术已经历了三代,目前是第三代96层3d nand,下一代将向128层3d nand发展,是64+64层的结构。为了使nand flash在性能、容量、尺寸等方面持续发挥其优势,美光在128层3d nand技术将从floating gate浮栅向栅极技术(replacement gate)过渡,并继续使用阵列下的cmos架构。


美光表示,nand flash技术从2d向3d发展,驱动wafer gb量大幅度增加,64层3d nand技术之后,也就是下一代128层3d nand技术,主要聚焦在rg((replacement gate))技术的过渡,nand flash容量增加和成本降低的速度放缓。

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